IGBT Infineon FF900R12IP4 là một thiết bị điện tử bán dẫn có nhiệm vụ chính là đóng ngắn dòng điện. Với nhiệm vụ như một rơ le cho nguồn điện vào. Và ra đảm sự an toàn cho mọi thiết bị bán dẫn phía sau trên hệ thống. Ngoài chức năng tự động đóng ngắt – mở thì thiết bị này còn có chức năng phụ. Đó là biến đổi dòng điện xoay chiều rất hiệu quả. Chính là những chức năng đặc thù đó đã làm nên một thiết bị vô cùng cần thiết bị khi lắp ráp. Hoặc cấu tạo ra máy móc trên main thì đây được xem là một thiết bị thiết yếu. Trong cấu thành hệ mạch kín của toàn bản mạch.
Cấu tạo của thiết bị IGBT Infineon FF900R12IP4
- Cấu tạo của IGBT Infineon FF900R12IP4 cũng như một thiết bị IGBT khác đó là có 2 đầu dây vào hay thường được ký hiệu là Input song song.
- Với đó là 2 đầu dây ra hay còn gọi là output nhưng điểm khác nhau của mọi dòng là điện áp chịu tải. Mọi đời có 1 thông số tối ưu hơn, tùy thuốc vào sự cải tiến của mỗi thiết bị điện trên thị trường mà tạo nên một IGBT khác nhau.
- Đối với thiết bị này chủ yếu được lắp ráp cho đường dây 1 pha điện. Các đấu dây điện chủ yếu từ thép cứng – bao bọc vỏ ngoài bằng một lớp sứ cứng cáp điển hình. Với lớp đế này có nhiệm vụ chính là chống truyền điện tuyệt đối khi thiết bị hoạt động. Trên thiết bị có đóng dấu các thông số kỹ thuật ở mặt bên thiết bị.
- Về số điện áp, cường độ điện áp, tên hãng sản xuất, mã vạch, ký hiệu riêng.
Nguyên lý hoạt động của IGBT Infineon FF900R12IP4
- IGBT Infineon FF900R12IP4 có cách thức hoạt động vô cùng tinh tế.
- Với cơ chế đóng ngắt thì cấu trúc n-p-n có điện áp sẽ tỉ lệ thuận giữa C và E. Đối với IGBT có thể khóa lại nhanh hơn nếu xả điện tích giữa G và E.
- Đối với các thiêt bị điện tử BSM nói chung thì sẽ trải qua 2 giai đoạn đó là T1 và T2 điện áp gi
ữa cực điều khiển. Giữ nguyên Uge để duy trì dòng Io, do dòng điều khiển hoàn toàn là dòng phóng tụ Cgc.
- Khi đó dòng i1= 0, nhưng i2 sẽ không yếu đi được do lượng điện tích lũy. Trong phân lớp thiết bị bán dẫn p-n-p chỉ mất đi do quá trình tự trung hòa.
Cách mở là quá trình khi điện áp điều khiển vào tăng tử 0 cho đến giá trị Ug. Trong thời gian trễ khi mở Io tín hiệu điều khiển nạp điện cho tụ Cgc làm điện áp. Giữa cực điều khiển và emite tăng theo hàm mũ từ 0 đến với giá trị Uge(~ 4v). Ở giai đoạn 1 thì sẽ có những tuần tự ở trên. Sang giai đoạn 2 là quá trình giảm điện trở trong colecto. Dẫn đến điện trở về đến giá trị Ron khi bão hòa hoàn toàn khi đó hệ số Uce bằng với IoRon.
Thông số kỹ thuật của IGBT Infineon FF900R12IP4
Parametrics | FF900R12IP4 |
Applications | CAV ; Drives ; Induction Heating ; Medical ; Solar ; UPS ; Welding |
Configuration | Dual |
IC(nom) / IF(nom) | 900.0 A |
Qualification | Industrial |
Technology | IGBT4 |
VCE(sat) (Tvj=25°C typ) | 3.2 V |
VF (Tvj=25°C typ) | 2.0 V |
Voltage Class | 1200.0 V |