DTB123ECHZGT116

DTB123ECHZGT116
DTB123ECHZGT116

DTB123ECHZGT116

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased

Nhà sản xuất LAPIS Semiconductor

Model DTB123ECHZGT116


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
DTB123ECHZGT116 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử DTB123ECHZGT116, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng DTB123ECHZGT116 LAPIS Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPDTB123ECHZGT116
  • Thông tin sản phẩm-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtLAPIS Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Loại bóng bán dẫnPNP - Pre-Biased + Diode
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSST3
  • LoạtAutomotive, AEC-Q101
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)2.2 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)2.2 kOhms
  • Power - Max200mW
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Vài cái tên khácDTB123ECHZGT116TR
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất7 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition200MHz
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE39 @ 50mA, 5V
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)500mA
  • DownloadDTB123ECHZGT116
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá