DTC123JET1G

DTC123JET1G
DTC123JET1G

DTC123JET1G

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model DTC123JET1G


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
DTC123JET1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử DTC123JET1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng DTC123JET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPDTC123JET1G
  • Thông tin sản phẩmTRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫnNPN - Pre-Biased
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSC-75
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)47 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)2.2 kOhms
  • Power - Max200mW
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseSC-75, SOT-416
  • Vài cái tên khácDTC123JET1G-ND DTC123JET1GOSTR
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất19 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE80 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • Số phần cơ sởDTC123
  • DownloadDTC123JET1G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá