EMB11FHAT2R

EMB11FHAT2R
EMB11FHAT2R

EMB11FHAT2R

TRANS 2PNP 100MA EMT6

Loại sản phẩm Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased

Nhà sản xuất LAPIS Semiconductor

Model EMB11FHAT2R


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
EMB11FHAT2R là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử EMB11FHAT2R, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng EMB11FHAT2R LAPIS Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPEMB11FHAT2R
  • Thông tin sản phẩmTRANS 2PNP 100MA EMT6
  • Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtLAPIS Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫn2 PNP Pre-Biased (Dual)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpEMT6
  • LoạtAutomotive, AEC-Q101
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)10 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)10 kOhms
  • Power - Max150mW
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / CaseSOT-563, SOT-666
  • Vài cái tên khácEMB11FHAT2RCT
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất7 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition250MHz
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE30 @ 5mA, 5V
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • DownloadEMB11FHAT2R
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá