IXTD1R4N60P 11

IXTD1R4N60P 11
IXTD1R4N60P 11

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất IXYS Corporation

Model IXTD1R4N60P 11

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
IXTD1R4N60P 11 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử IXTD1R4N60P 11, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng IXTD1R4N60P 11 IXYS Corporation với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPIXTD1R4N60P 11
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 600V
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtIXYS Corporation
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • VGS (th) (Max) @ Id5.5V @ 25µA
  • Vgs (Tối đa)±30V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpDie
  • LoạtPolarHV™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS9 Ohm @ 700mA, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)50W (Tc)
  • Gói / CaseDie
  • Vài cái tên khácIXTD1R4N60P11
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 25V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)600V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount Die
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C1.4A (Tc)
  • DownloadIXTD1R4N60P 11
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá