MJD112-1G

MJD112-1G
MJD112-1G

MJD112-1G

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model MJD112-1G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
MJD112-1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MJD112-1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MJD112-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPMJD112-1G
  • Thông tin sản phẩmTRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTube
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
  • Loại bóng bán dẫnNPN - Darlington
  • Gói thiết bị nhà cung cấpI-PAK
  • Power - Max1.75W
  • Bao bìTube
  • Gói / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Vài cái tên khácMJD112-1GOS MJD1121G
  • Nhiệt độ hoạt động-65°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiThrough Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất9 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition25MHz
  • miêu tả cụ thểBipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE1000 @ 2A, 3V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)20µA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)2A
  • Số phần cơ sởMJD112
  • DownloadMJD112-1G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá