MJD112G

MJD112G
MJD112G

MJD112G

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model MJD112G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
MJD112G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MJD112G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MJD112G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPMJD112G
  • Thông tin sản phẩmTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTO252
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
  • Loại bóng bán dẫnNPN - Darlington
  • Gói thiết bị nhà cung cấpDPAK
  • Power - Max1.75W
  • Bao bìTube
  • Gói / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Vài cái tên khácMJD112G-ND MJD112GOS
  • Nhiệt độ hoạt động-65°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất5 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition25MHz
  • miêu tả cụ thểBipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE1000 @ 2A, 3V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)20µA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)2A
  • Số phần cơ sởMJD112
  • DownloadMJD112G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá