MJD122T4G

MJD122T4G
MJD122T4G

MJD122T4G

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model MJD122T4G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
MJD122T4G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MJD122T4G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MJD122T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPMJD122T4G
  • Thông tin sản phẩmTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTO-252
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
  • Loại bóng bán dẫnNPN - Darlington
  • Gói thiết bị nhà cung cấpDPAK
  • Power - Max1.75W
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Vài cái tên khácMJD122T4GOS MJD122T4GOS-ND MJD122T4GOSTR
  • Nhiệt độ hoạt động-65°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất17 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition4MHz
  • miêu tả cụ thểBipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE1000 @ 4A, 4V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)10µA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)8A
  • Số phần cơ sởMJD122
  • DownloadMJD122T4G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá