MMUN2135LT1G

MMUN2135LT1G
MMUN2135LT1G

MMUN2135LT1G

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model MMUN2135LT1G


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
MMUN2135LT1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MMUN2135LT1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MMUN2135LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPMMUN2135LT1G
  • Thông tin sản phẩmTRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫnPNP - Pre-Biased
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSOT-23 (TO-236AB)
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)47 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)2.2 kOhms
  • Power - Max246mW
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Vài cái tên khácMMUN2135LT1GOSCT
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất36 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE80 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • DownloadMMUN2135LT1G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá