MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Loại sản phẩm Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF

Nhà sản xuất Toshiba Semiconductor and Storage

Model MT3S111P(TE12L,F)

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
MT3S111P(TE12L,F) là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MT3S111P(TE12L,F), Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPMT3S111P(TE12L,F)
  • Thông tin sản phẩmRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Loại sản phẩmTransistors - lưỡng cực (BJT) - RF
  • Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor and Storage
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)6V
  • Loại bóng bán dẫnNPN
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPW-MINI
  • Power - Max1W
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / CaseTO-243AA
  • Vài cái tên khácMT3S111P(TE12LF)CT
  • Nhiệt độ hoạt động150°C (TJ)
  • Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f)1.25dB @ 1GHz
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất12 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Lợi10.5dB
  • Tần số - Transition8GHz
  • miêu tả cụ thểRF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE200 @ 30mA, 5V
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • DownloadMT3S111P(TE12L,F)
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá