MT3S113P(TE12L,F) | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

MT3S113P(TE12L,F) là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MT3S113P(TE12L,F), Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPMT3S113P(TE12L,F)
Thông tin sản phẩmRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Loại sản phẩmTransistors - lưỡng cực (BJT) - RF
Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor and Storage
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)5.3V
Loại bóng bán dẫnNPN
Gói thiết bị nhà cung cấpPW-MINI
Power - Max1.6W
Bao bìTape & Reel (TR)
Gói / CaseTO-243AA
Vài cái tên khácMT3S113P(TE12LF) MT3S113P(TE12LF)TR
Nhiệt độ hoạt động150°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất12 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
Lợi10.5dB
Tần số - Transition7.7GHz
miêu tả cụ thểRF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE200 @ 30mA, 5V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
DownloadMT3S113P(TE12L,F)
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn