MUN5113DW1T1G

MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G

MUN5113DW1T1G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Loại sản phẩm Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased

Nhà sản xuất N/A

Model MUN5113DW1T1G


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
MUN5113DW1T1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MUN5113DW1T1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MUN5113DW1T1G ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPMUN5113DW1T1G
  • Thông tin sản phẩmTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtN/A
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100mA
  • Voltage - BreakdownSC-88/SC70-6/SOT-363
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic50V
  • Tình trạng RoHSTape & Reel (TR)
  • Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
  • Power - Max250mW
  • sự phân cực6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Vài cái tên khácMUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR
  • Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f)47k
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Mức độ nhạy ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất10 Weeks
  • Tần số - Transition80 @ 5mA, 10V
  • Mô tả mở rộngPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE500nA
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)250mV @ 300µA, 10mA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • DownloadMUN5113DW1T1G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn