MUN5312DW1T2G | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

MUN5312DW1T2G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử MUN5312DW1T2G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng MUN5312DW1T2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPMUN5312DW1T2G
Thông tin sản phẩmTRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấpSC-88/SC70-6/SOT-363
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)22 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)22 kOhms
Power - Max385mW
Bao bìTape & Reel (TR)
Gói / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất40 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE60 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
Số phần cơ sởMUN53**DW1
DownloadMUN5312DW1T2G
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn