NSBA123JDXV6T1G | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

NSBA123JDXV6T1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử NSBA123JDXV6T1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng NSBA123JDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPNSBA123JDXV6T1G
Thông tin sản phẩmTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấpSOT-563
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)47 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)2.2 kOhms
Power - Max500mW
Bao bìTape & Reel (TR)
Gói / CaseSOT-563, SOT-666
Vài cái tên khácNSBA123JDXV6T1GOS NSBA123JDXV6T1GOS-ND NSBA123JDXV6T1GOSTR
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
Số phần cơ sởNSBA1*
DownloadNSBA123JDXV6T1G
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn