NSBA123TDP6T5G

NSBA123TDP6T5G
NSBA123TDP6T5G

NSBA123TDP6T5G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Loại sản phẩm Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model NSBA123TDP6T5G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
NSBA123TDP6T5G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử NSBA123TDP6T5G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng NSBA123TDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPNSBA123TDP6T5G
  • Thông tin sản phẩmTRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
  • Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫn2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSOT-963
  • Điện trở - Cơ sở (R1)2.2 kOhms
  • Power - Max408mW
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseSOT-963
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất14 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE160 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • Số phần cơ sởNSBA1*
  • DownloadNSBA123TDP6T5G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá