NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G
NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G

SS SOT563 RSTR XSTR TR

Loại sản phẩm Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model NSBC115EPDXV6T1G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
NSBC115EPDXV6T1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử NSBC115EPDXV6T1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng NSBC115EPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPNSBC115EPDXV6T1G
  • Thông tin sản phẩmSS SOT563 RSTR XSTR TR
  • Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫn1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSOT-563
  • LoạtAutomotive, AEC-Q101
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)100 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)100 kOhms
  • Power - Max357mW
  • Gói / CaseSOT-563, SOT-666
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất52 Weeks
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE80 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • DownloadNSBC115EPDXV6T1G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá