NSVMUN5212DW1T1G | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

NSVMUN5212DW1T1G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử NSVMUN5212DW1T1G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng NSVMUN5212DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPNSVMUN5212DW1T1G
Thông tin sản phẩmTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Loại sản phẩmTransitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased
Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấpSC-88/SC70-6/SOT-363
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)22 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)22 kOhms
Power - Max250mW
Bao bìCut Tape (CT)
Gói / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khácNSVMUN5212DW1T1GOSCT
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất40 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE60 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
Số phần cơ sởMUN52**DW1T
DownloadNSVMUN5212DW1T1G
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn