RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased

Nhà sản xuất Toshiba Semiconductor and Storage

Model RN1116MFV,L3F

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
RN1116MFV,L3F là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử RN1116MFV,L3F, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPRN1116MFV,L3F
  • Thông tin sản phẩmX34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor and Storage
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
  • Loại bóng bán dẫnNPN - Pre-Biased
  • Gói thiết bị nhà cung cấpVESM
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)10 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)4.7 kOhms
  • Power - Max150mW
  • Gói / CaseSOT-723
  • Vài cái tên khácRN1116MFVL3F
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition250MHz
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE50 @ 10mA, 5V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • DownloadRN1116MFV,L3F
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá