RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased

Nhà sản xuất Toshiba Semiconductor and Storage

Model RN2107MFV,L3F

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
RN2107MFV,L3F là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử RN2107MFV,L3F, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPRN2107MFV,L3F
  • Thông tin sản phẩmTRANS PREBIAS NPN
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor and Storage
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpBulk
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
  • Loại bóng bán dẫnPNP - Pre-Biased
  • Gói thiết bị nhà cung cấpVESM
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)47 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)10 kOhms
  • Power - Max150mW
  • Bao bìBulk
  • Gói / CaseSOT-723
  • Vài cái tên khácRN2107MFV,L3F(B RN2107MFV,L3F(T RN2107MFVL3F
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE80 @ 10mA, 5V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)100mA
  • DownloadRN2107MFV,L3F
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá