SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Vishay Siliconix

Model SI2311DS-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SI2311DS-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI2311DS-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI2311DS-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSI2311DS-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET P-CH 8V 3A SOT23
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtVishay Siliconix
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±8V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSOT-23-3
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Điện cực phân tán (Max)710mW (Ta)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 4V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • Loại FETP-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)8V
  • miêu tả cụ thểP-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
  • DownloadSI2311DS-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá