SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng

Nhà sản xuất Vishay Siliconix

Model SI3911DV-T1-E3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SI3911DV-T1-E3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI3911DV-T1-E3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI3911DV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSI3911DV-T1-E3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Nhà sản xuấtVishay Siliconix
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • VGS (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp6-TSOP
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Power - Max830mW
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Vài cái tên khácSI3911DV-T1-E3CT
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
  • Loại FET2 P-Channel (Dual)
  • FET FeatureLogic Level Gate
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
  • miêu tả cụ thểMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C1.8A
  • Số phần cơ sởSI3911
  • DownloadSI3911DV-T1-E3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá