SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3
SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SI4866BDY-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SI4866BDY-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI4866BDY-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSI4866BDY-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpDigi-Reel®
  • VGS (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±8V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp8-SO
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
  • Điện cực phân tán (Max)2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
  • Bao bìOriginal-Reel®
  • Gói / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds5020pF @ 6V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 4.5V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)12V
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C21.5A (Tc)
  • DownloadSI4866BDY-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá