SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng

Nhà sản xuất Vishay Siliconix

Model SI5515DC-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SI5515DC-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI5515DC-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI5515DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSI5515DC-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Nhà sản xuấtVishay Siliconix
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
  • Gói thiết bị nhà cung cấp1206-8 ChipFET™
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Power - Max1.1W
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / Case8-SMD, Flat Lead
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
  • Loại FETN and P-Channel
  • FET FeatureLogic Level Gate
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
  • miêu tả cụ thểMosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C4.4A, 3A
  • Số phần cơ sởSI5515
  • DownloadSI5515DC-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá