SI7792DP-T1-GE3 | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

SI7792DP-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI7792DP-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI7792DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPSI7792DP-T1-GE3
Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa)±20V
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® SO-8
LoạtSkyFET®, TrenchFET® Gen III
Rds On (Max) @ Id, VGS2.1 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max)6.25W (Ta), 104W (Tc)
Bao bìTape & Reel (TR)
Gói / CasePowerPAK® SO-8
Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds4.735nF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Loại FETN-Channel
FET FeatureSchottky Diode (Body)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)30V
miêu tả cụ thểN-Channel 30V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C40.6A (Ta), 60A (Tc)
DownloadSI7792DP-T1-GE3
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn