SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1
SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SI8819EDB-T2-E1

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SI8819EDB-T2-E1 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI8819EDB-T2-E1, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI8819EDB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSI8819EDB-T2-E1
  • Thông tin sản phẩmMOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • VGS (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±8V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
  • Rds On (Max) @ Id, VGS80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
  • Điện cực phân tán (Max)900mW (Ta)
  • Gói / Case4-XFBGA
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 6V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 8V
  • Loại FETP-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 3.7V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)12V
  • miêu tả cụ thểP-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C2.9A (Ta)
  • DownloadSI8819EDB-T2-E1
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá