SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SI9926CDY-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SI9926CDY-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SI9926CDY-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SI9926CDY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSI9926CDY-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • VGS (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
  • Gói thiết bị nhà cung cấp8-SO
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • Power - Max3.1W
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Vài cái tên khácSI9926CDY-T1-GE3CT
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất27 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
  • Loại FET2 N-Channel (Dual)
  • FET FeatureLogic Level Gate
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
  • miêu tả cụ thểMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C8A
  • Số phần cơ sởSI9926
  • DownloadSI9926CDY-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá