SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SIA430DJT-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SIA430DJT-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIA430DJT-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIA430DJT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSIA430DJT-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® SC-70-6 Single
  • Rds On (Max) @ Id, VGS13.5 mOhm @ 7A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)19.2W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CasePowerPAK® SC-70-6
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất27 Weeks
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 10V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 20V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
  • DownloadSIA430DJT-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá