SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Vishay Siliconix

Model SIB412DK-T1-GE3


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SIB412DK-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIB412DK-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIB412DK-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSIB412DK-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtVishay Siliconix
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±8V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® SC-75-6L Single
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
  • Điện cực phân tán (Max)2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CasePowerPAK® SC-75-6L
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds535pF @ 10V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs10.16nC @ 5V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
  • DownloadSIB412DK-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá