SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SIHB12N60ET5-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SIHB12N60ET5-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIHB12N60ET5-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIHB12N60ET5-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSIHB12N60ET5-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 600V 12A TO263
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpBulk
  • VGS (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±30V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpTO-263 (D²Pak)
  • LoạtE
  • Rds On (Max) @ Id, VGS380 mOhm @ 6A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)147W (Tc)
  • Bao bìBulk
  • Gói / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds937pF @ 100V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)600V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
  • DownloadSIHB12N60ET5-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá