SIR410DP-T1-GE3 | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

SIR410DP-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIR410DP-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIR410DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPSIR410DP-T1-GE3
Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
Nhà sản xuấtVishay Siliconix
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa)±20V
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® SO-8
LoạtTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS4.8 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max)4.2W (Ta), 36W (Tc)
Bao bìTape & Reel (TR)
Gói / CasePowerPAK® SO-8
Vài cái tên khácSIR410DP-T1-GE3-ND SIR410DP-T1-GE3TR SIR410DPT1GE3
Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất27 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Loại FETN-Channel
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
miêu tả cụ thểN-Channel 20V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
DownloadSIR410DP-T1-GE3
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn