SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Vishay Siliconix

Model SIR624DP-T1-GE3


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SIR624DP-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIR624DP-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIR624DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSIR624DP-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 200V 18.6A SO8
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtVishay Siliconix
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® SO-8
  • LoạtThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS60 mOhm @ 10A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)52W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CasePowerPAK® SO-8
  • Vài cái tên khácSIR624DP-T1-GE3TR
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds1110pF @ 100V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 7.5V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)200V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 200V 18.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C18.6A (Tc)
  • DownloadSIR624DP-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá