SIS430DN-T1-GE3 | Semitech.vn

Thông tin sản phẩm

SIS430DN-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIS430DN-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIS430DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.

Mã SPSIS430DN-T1-GE3
Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
Nhà sản xuấtVishay Siliconix
Tình trạngLiên hệ đặt hàng
Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa)±20V
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® 1212-8
LoạtTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS5.1 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max)3.8W (Ta), 52W (Tc)
Bao bìTape & Reel (TR)
Gói / CasePowerPAK® 1212-8
Vài cái tên khácSIS430DN-T1-GE3-ND SIS430DN-T1-GE3TR SIS430DNT1GE3
Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn LoạiSurface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 12.5V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Loại FETN-Channel
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)25V
miêu tả cụ thểN-Channel 25V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
DownloadSIS430DN-T1-GE3
Báo giá
Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn