SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SIS888DN-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SIS888DN-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIS888DN-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSIS888DN-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id4.2V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • LoạtThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS58 mOhm @ 10A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)52W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CasePowerPAK® 1212-8S
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TA)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds420pF @ 75V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs14.5nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)150V
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C20.2A (Tc)
  • DownloadSIS888DN-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá