SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SISA66DN-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SISA66DN-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SISA66DN-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SISA66DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSISA66DN-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
  • Vgs (Tối đa)+20V, -16V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® 1212-8
  • LoạtTrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, VGS2.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)52W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CasePowerPAK® 1212-8
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất32 Weeks
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds3014pF @ 15V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)30V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
  • DownloadSISA66DN-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá