SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SISH410DN-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SISH410DN-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SISH410DN-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SISH410DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSISH410DN-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPowerPAK® 1212-8SH
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CasePowerPAK® 1212-8SH
  • Vài cái tên khácSISH410DN-T1-GE3TR
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất42 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 10V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)20V
  • miêu tả cụ thểN-Channel 20V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C22A (Ta), 35A (Tc)
  • DownloadSISH410DN-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá