SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng

Nhà sản xuất Vishay Siliconix

Model SIZ900DT-T1-GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SIZ900DT-T1-GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SIZ900DT-T1-GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SIZ900DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSIZ900DT-T1-GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Nhà sản xuấtVishay Siliconix
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • VGS (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
  • Gói thiết bị nhà cung cấp6-PowerPair™
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
  • Power - Max48W, 100W
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / Case6-PowerPair™
  • Vài cái tên khácSIZ900DT-T1-GE3CT
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds1830pF @ 15V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
  • Loại FET2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET FeatureLogic Level Gate
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)30V
  • miêu tả cụ thểMosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C24A, 28A
  • Số phần cơ sởSIZ900
  • DownloadSIZ900DT-T1-GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá