SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Electro-Films (EFI) / Vishay

Model SQD50N06-09L_GE3

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
SQD50N06-09L_GE3 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử SQD50N06-09L_GE3, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng SQD50N06-09L_GE3 Vishay Siliconix với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPSQD50N06-09L_GE3
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 60V 50A
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtElectro-Films (EFI) / Vishay
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpTO-252, (D-Pak)
  • LoạtTrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS9 mOhm @ 20A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)136W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds3065pF @ 25V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)60V
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
  • DownloadSQD50N06-09L_GE3
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá