DTB114ECHZGT116

DTB114ECHZGT116
DTB114ECHZGT116

DTB114ECHZGT116

PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST

Loại sản phẩm Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased

Nhà sản xuất LAPIS Semiconductor

Model DTB114ECHZGT116


Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
DTB114ECHZGT116 là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử DTB114ECHZGT116, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng DTB114ECHZGT116 LAPIS Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPDTB114ECHZGT116
  • Thông tin sản phẩmPNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
  • Loại sản phẩmTransitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased
  • Nhà sản xuấtLAPIS Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpCut Tape (CT)
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Loại bóng bán dẫnPNP - Pre-Biased + Diode
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSST3
  • LoạtAutomotive, AEC-Q101
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)10 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)10 kOhms
  • Power - Max200mW
  • Bao bìCut Tape (CT)
  • Gói / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Vài cái tên khácDTB114ECHZGT116CT
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất7 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition200MHz
  • miêu tả cụ thểPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE56 @ 50mA, 5V
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)500mA
  • DownloadDTB114ECHZGT116
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá