FDN5618P_G

FDN5618P_G
FDN5618P_G

FDN5618P_G

INTEGRATED CIRCUIT

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Model FDN5618P_G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
FDN5618P_G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử FDN5618P_G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng FDN5618P_G AMI Semiconductor / ON Semiconductor với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPFDN5618P_G
  • Thông tin sản phẩmINTEGRATED CIRCUIT
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpBulk
  • VGS (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpSuperSOT-3
  • LoạtPowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS170 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)500mW (Ta)
  • Bao bìBulk
  • Gói / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 30V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs13.8nC @ 10V
  • Loại FETP-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)60V
  • miêu tả cụ thểP-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C1.25A (Ta)
  • DownloadFDN5618P_G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá