IPB036N12N3 G

IPB036N12N3 G
IPB036N12N3 G

IPB036N12N3 G

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Infineon Technologies

Model IPB036N12N3 G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
IPB036N12N3 G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử IPB036N12N3 G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng IPB036N12N3 G Infineon Technologies với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPIPB036N12N3 G
  • Thông tin sản phẩmMOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtInfineon Technologies
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id4V @ 270µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPG-TO263-7
  • LoạtOptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS3.6 mOhm @ 100A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)300W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds13800pF @ 60V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs211nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)120V
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
  • DownloadIPB036N12N3 G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá