IPB049NE7N3 G

IPB049NE7N3 G
IPB049NE7N3 G

IPB049NE7N3 G

IPB049NE7N3 G Infineon Technologies

Loại sản phẩm Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn

Nhà sản xuất Infineon Technologies

Model IPB049NE7N3 G

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
IPB049NE7N3 G là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử IPB049NE7N3 G, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng IPB049NE7N3 G Infineon Technologies với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPIPB049NE7N3 G
  • Thông tin sản phẩmIPB049NE7N3 G Infineon Technologies
  • Loại sản phẩmTransitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Nhà sản xuấtInfineon Technologies
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Gói / Trường hợpTape & Reel (TR)
  • VGS (th) (Max) @ Id3.8V @ 91µA
  • Vgs (Tối đa)±20V
  • Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấpPG-TO263-3
  • LoạtOptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS4.9 mOhm @ 80A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)150W (Tc)
  • Bao bìTape & Reel (TR)
  • Gói / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn LoạiSurface Mount
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds4750pF @ 37.5V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
  • Loại FETN-Channel
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)75V
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
  • DownloadIPB049NE7N3 G
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá