VS-GB200TH120N

VS-GB200TH120N
VS-GB200TH120N

VS-GB200TH120N

IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

Loại sản phẩm Transitor - IGBTs - Các mô-đun

Nhà sản xuất Vishay Semiconductor Diodes Division

Model VS-GB200TH120N

Liên hệ nhận báo giá admin@semitech.vn hoặc 091.99.44.885
028.3636.8204 Zalo
Thông tin sản phẩm
VS-GB200TH120N là hàng mới và nguyên bản, Tìm cổ phiếu linh kiện điện tử VS-GB200TH120N, Bảng dữ liệu, hàng tồn kho và giá tại Semitech.vn trực tuyến, Đặt hàng VS-GB200TH120N Electro-Films (EFI) / Vishay với sự bảo đảm và tin cậy từ Giới hạn công nghệ Semitech.vn. Giao hàng qua DHL / FedEx / UPS. Thanh toán bằng chuyển khoản hoặc PayPal là OK.
  • Mã SPVS-GB200TH120N
  • Thông tin sản phẩmIGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
  • Loại sản phẩmTransitor - IGBTs - Các mô-đun
  • Nhà sản xuấtVishay Semiconductor Diodes Division
  • Tình trạngLiên hệ đặt hàng
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
  • VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 200A
  • Gói thiết bị nhà cung cấpDouble INT-A-PAK
  • Power - Max1136W
  • Gói / CaseDouble INT-A-PAK (3 + 4)
  • Vài cái tên khácVSGB200TH120N
  • Nhiệt độ hoạt động150°C (TJ)
  • NTC ThermistorNo
  • gắn LoạiChassis Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất38 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHSLead free / RoHS Compliant
  • Input Điện dung (Cies) @ VCE14.9nF @ 25V
  • Đầu vàoStandard
  • miêu tả cụ thểIGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)5mA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)360A
  • Cấu hìnhHalf Bridge
  • DownloadVS-GB200TH120N
  • Báo giá
    Hotline: 0919944885 hoặc admin@semitech.vn

Sản phẩm khác

  • Hình ảnh
  • Thông tin sản phẩm
  • Nhà sản xuất
  • Model
  • Báo giá